參數(shù)資料
型號(hào): 2N6185
廠商: MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商: 2N6185
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5744 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2N6184 10 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59
2N5385 5 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N5415 50 mA, 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N5428A 7 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6186 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 80V 10A 3PIN TO-59 - Bulk
2N6187 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 80V 10A 3PIN TO-59 - Bulk 制造商:All American Misc. 功能描述:
2N6188 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-59 - Bulk
2N6189 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 100V 10A 3PIN TO-59 - Bulk
2N6190 功能描述:兩極晶體管 - BJT Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2