參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6287
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 521K
代理商： 2N6287
2N6284 - 2N6287
Electrical characteristics
3/8
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C; unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEV
Collector cut-off current
(VBE = -1.5 V)
VCE = 100 V
Tc = 150 °C
0.5
5
mA
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCE = 50 V
1
mA
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = 5 V
2
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulsed duration = 300 s, duty cycle
≤1.5 %
For PNP type voltage and current values are negative
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = 100 mA
100
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = 10 A
IB = 40 mA
IC = 20 A __ IB = 200 mA
2
3
V
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = 20 A __ IB = 200 mA
4
V
VBE
(1)
Base-emitter voltage
IC = 10 A __
VCE = 3 V
2.8
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = 10 A_
VCE = 3 V
IC = 20 A_
VCE = 3 V
750
100
18000
hfe
Small signal current gain
IC = 10 A_
VCE = 3 V
f = 1 kHz
300
CCBO
Collector-base
capacitance (IE = 0)
VCB = 10 V
f = 100 kHz
for 2N6284
for 2N6287
400
600
pF
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PDF描述
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2N6288 LEDFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6288G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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