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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6385.MOD |
| 廠商： | SEMELAB LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 58K |
| 代理商： | 2N6385.MOD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6281-JQR-A | 50 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N6354A | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N6395 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N6280-JQR | 50 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
| 2N6280-JQR-BR1 | 50 A, 140 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6385SMD05 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON POWER NPN |
| 2N6385SX | 制造商:RCA 功能描述: |
| 2N6386 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6387 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6387/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Plastic Medium-Power Transistors |
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