參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6387AK
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 60/61頁
文件大小： 376K
代理商： 2N6387AK
Selector Guide
2–6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
8
60
2N6043(2)
2N6040(2)
1k/10k
4
1.5 typ
3
4(1)
75
80
2N6044 (2)
2N6041 (2)
1k/10k
4
1.5 typ
3
4(1)
75
BDX53B (2)
BDX54B (2)
750 min
3
4(1)
60
100
2N6045 (2)
2N6042 (2)
1k/10k
3
1.5 typ
3
4(1)
75
BDX53C (2)
BDX54C (2)
750 min
3
TIP102 (2)
TIP107 (2)
1k/20k
3
1.5 typ
3
4(1)
80
120
MJE15028
MJE15029
20 min
4
30
50
150
MJE15030
MJE15031
20 min
4
30
50
200
BU806 (2)
100 min
5
0.55 typ
0.2 typ
5
60
300/600
MJE5740(2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
4
80
MJE5850
15 min
2
0.5
4
80
350
MJE5741 (2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
80
MJE5851
15 min
2
0.5
4
80
MJE5742 (2)
200 min
4
8 typ
2 typ
6
80
MJE13007
5/30
5
3
0.7
5
80
MJE5852
15 min
2
0.5
4
80
400/650
MJE16106
6/22
8
2 typ
0.1 typ
5
100
400/700
BUL147
14/34
1
2.5(3)
0.18(3)
2
14 typ
125
450/1000
MJE18008
16/34
1
2.75(3)
0.18(3)
2
13 typ
125
10
20
BD808
15 min
4
1.5
90
60
D44H8
D45H8
40 min
4
50
MJE3055T
MJE2955T
20/70
4
75
2N6387 (2)
2N6667 (2)
1k/20k
5
20(1)
65
80
BDX33B (2)
BDX34B (2)
750 min
3
70
BD809
BD810
15 min
4
1.5
90
2N6388 (2)
2N6668 (2)
1k/20k
5
20(1)
65
D44H10
D45H10
20 min
4
0.5 typ
0.14 typ
5
50 typ
50
D44H11
D45H11
40 min
4
0.5 typ
0.14 typ
5
50 typ
50
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)VCEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
(9)Self protected Darlington
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6387BG 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6388BV 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6388BU 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6387AU 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6388AN 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6387G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6388 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Power Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6388 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220
2N6388_00 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR
2N6388D4(8110) 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Low-Frequency Power Silicon NPN BJT 制造商:STMicroelectronics 功能描述:2N6388D4(8110) - Bulk
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