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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N6388AN |
| 廠(chǎng)商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 34/61頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 376K |
| 代理商： | 2N6388AN |
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2N6387 2N6388
3–127
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
10
500
300
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
25
°C
–55
°C
VCE = 4.0 V
200
7.0
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
3.0
5.0
Figure 9. Collector Saturation Region
3.0
IB, BASE CURRENT (mA)
0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0
30
2.6
2.2
1.8
1.4
IC = 2.0 A
TJ = 25°C
4.0 A
6.0 A
1.0
0.7
20
10
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
10
7.0
3.0
5.0
0
– 1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VBE(sat) @ IC/IB = 250
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 10. “On” Voltages
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 4.0 V
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1.0
2.0
10
7.0
3.0
5.0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
*
θVC for VCE(sat)
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
*IC/IB ≤
hFE @VCE + 4.0 V
3
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
θVB for VBE
– 2.0
– 3.0
– 4.0
– 5.0
+ 1.0
+ 2.0
+ 3.0
+ 4.0
+ 5.0
105
Figure 12. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
102
101
100
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A
)
I C
10–1
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100
°C
25
°C
REVERSE
FORWARD
103
104
+ 0.2 + 0.4
0
– 0.2
– 0.4
– 0.6
+ 0.6 + 0.8
+ 1.0 + 1.2 + 1.4
Figure 13. Darlington Schematic
BASE
COLLECTOR
EMITTER
[ 8.0 k
[ 120
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