參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6388BC
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 19/61頁
文件大小： 376K
代理商： 2N6388BC
Outline Dimensions and Leadform Options
5–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
A
D
V
G
K
S
L
U
B
Q
E
C
J
H
CASE 340D–01
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
19.00
19.60
0.749
0.771
B
14.00
14.50
0.551
0.570
C
4.20
4.70
0.165
0.185
D
1.00
1.30
0.040
0.051
E
1.45
1.65
0.058
0.064
G
5.21
5.72
0.206
0.225
H
2.60
3.00
0.103
0.118
J
0.40
0.60
0.016
0.023
K
28.50
32.00
1.123
1.259
L
14.70
15.30
0.579
0.602
Q
4.00
4.25
0.158
0.167
S
17.50
18.10
0.689
0.712
U
3.40
3.80
0.134
0.149
V
1.50
2.00
0.060
0.078
12
3
4
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
20.40
20.90
0.803
0.823
MILLIMETERS
B
15.44
15.95
0.608
0.628
C
4.70
5.21
0.185
0.205
D
1.09
1.30
0.043
0.051
E
1.50
1.63
0.059
0.064
F
1.80
2.18
0.071
0.086
G
5.45 BSC
0.215 BSC
H
2.56
2.87
0.101
0.113
J
0.48
0.68
0.019
0.027
K
15.57
16.08
0.613
0.633
L
7.26
7.50
0.286
0.295
P
3.10
3.38
0.122
0.133
Q
3.50
3.70
0.138
0.145
R
3.30
3.80
0.130
0.150
U
5.30 BSC
0.209 BSC
V
3.05
3.40
0.120
0.134
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 340F–03
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010) M TB M
0.25 (0.010) M YQ S
J
H
C
4
12
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
0.621
0.629
15.78
15.97
INCHES
B
0.394
0.402
10.01
10.21
C
0.181
0.189
4.60
4.80
D
0.026
0.034
0.67
0.86
F
0.121
0.129
3.08
3.27
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.123
0.129
3.13
3.27
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.500
0.562
12.70
14.27
L
0.045
0.060
1.14
1.52
N
0.200 BSC
5.08 BSC
Q
0.126
0.134
3.21
3.40
R
0.107
0.111
2.72
2.81
S
0.096
0.104
2.44
2.64
U
0.259
0.267
6.58
6.78
–B–
–Y–
G
N
D
L
K
H
A
F
Q
3 PL
12 3
M
B
M
0.25 (0.010)
Y
SEATING
PLANE
–T–
U
C
S
J
R
CASE 221D–02
(TO–218)
(TO–220)
(TO–247AE)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6388AJ 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6388AS 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6387BV 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6387 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6421 2 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213AA
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參數(shù)描述
2N6388D4(8110) 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Low-Frequency Power Silicon NPN BJT 制造商:STMicroelectronics 功能描述:2N6388D4(8110) - Bulk
2N6388G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 10A 80V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N638A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
2N638B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-3
2N639 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-3 40V 5A 5W BCE NPN
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