參數(shù)資料
型號： 2N6427
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR
中文描述： npn型外延硅達林頓晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 49K
代理商： 2N6427
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Jul 04
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2N6427
NPN Darlington transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料
PDF描述
2N6427 Mini size of Discrete semiconductor elements
2N6427 Darlington Transistors(NPN Silicon)
2N6427 NPN Darlington Transistor
PIC18F2321 28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with 10-Bit A/D and nanoWatt Technology
PIC18F232 High Performance, Low Power 8-Bit FLASH Microcontrollers(高性能、低功耗、8位閃速微控制器)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6427_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Darlington Transistor
2N6427_D26Z 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427_D27Z 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427_D75Z 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
2N6427_Q 功能描述:達林頓晶體管 NPN Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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