參數(shù)資料
型號： 2N6487BA
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 19/61頁
文件大?。?/td> 367K
代理商： 2N6487BA
Outline Dimensions and Leadform Options
5–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
A
D
V
G
K
S
L
U
B
Q
E
C
J
H
CASE 340D–01
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
19.00
19.60
0.749
0.771
B
14.00
14.50
0.551
0.570
C
4.20
4.70
0.165
0.185
D
1.00
1.30
0.040
0.051
E
1.45
1.65
0.058
0.064
G
5.21
5.72
0.206
0.225
H
2.60
3.00
0.103
0.118
J
0.40
0.60
0.016
0.023
K
28.50
32.00
1.123
1.259
L
14.70
15.30
0.579
0.602
Q
4.00
4.25
0.158
0.167
S
17.50
18.10
0.689
0.712
U
3.40
3.80
0.134
0.149
V
1.50
2.00
0.060
0.078
12
3
4
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
20.40
20.90
0.803
0.823
MILLIMETERS
B
15.44
15.95
0.608
0.628
C
4.70
5.21
0.185
0.205
D
1.09
1.30
0.043
0.051
E
1.50
1.63
0.059
0.064
F
1.80
2.18
0.071
0.086
G
5.45 BSC
0.215 BSC
H
2.56
2.87
0.101
0.113
J
0.48
0.68
0.019
0.027
K
15.57
16.08
0.613
0.633
L
7.26
7.50
0.286
0.295
P
3.10
3.38
0.122
0.133
Q
3.50
3.70
0.138
0.145
R
3.30
3.80
0.130
0.150
U
5.30 BSC
0.209 BSC
V
3.05
3.40
0.120
0.134
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 340F–03
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010) M TB M
0.25 (0.010) M YQ S
J
H
C
4
12
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
0.621
0.629
15.78
15.97
INCHES
B
0.394
0.402
10.01
10.21
C
0.181
0.189
4.60
4.80
D
0.026
0.034
0.67
0.86
F
0.121
0.129
3.08
3.27
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.123
0.129
3.13
3.27
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.500
0.562
12.70
14.27
L
0.045
0.060
1.14
1.52
N
0.200 BSC
5.08 BSC
Q
0.126
0.134
3.21
3.40
R
0.107
0.111
2.72
2.81
S
0.096
0.104
2.44
2.64
U
0.259
0.267
6.58
6.78
–B–
–Y–
G
N
D
L
K
H
A
F
Q
3 PL
12 3
M
B
M
0.25 (0.010)
Y
SEATING
PLANE
–T–
U
C
S
J
R
CASE 221D–02
(TO–218)
(TO–220)
(TO–247AE)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6490AF 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6490AS 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6487AJ 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6488BG 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6490BS 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6487G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6488 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6488G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 80V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6489 制造商:n/a 功能描述:2N6489 S3B2F 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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