參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6488
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： 2N6488
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
1.67
70
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICEX
Collector Cut-off
Current (VBE = -1.5V)
for 2N6487/2N6490
VCE = 65 V
for 2N6488
VCE = 85 V
Tc = 150
oC
for 2N6487/2N6490
VCE = 60 V
for 2N6488
VCE = 80 V
0.5
5
mA
ICER
Collector Cut-off
Current (RBE = 100
)
for 2N6487/2N6490
VCE = 55 V
for 2N6488
VCE = 75 V
0.5
mA
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
for 2N6487/2N6490
VCE = 30 V
for 2N6488
VCE = 40 V
1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
1
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
IC = 200 mA
for 2N6487/2N6490
for 2N6488
60
80
V
VCER(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(RBE = 100
)
IC = 200 mA
for 2N6487/2N6490
for 2N6488
65
85
V
VCEX(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(VBE=-1.5V, RBE=100
)
IC = 200 mA
for 2N6487/2N6490
for 2N6488
70
90
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 5 A
IB = 0.5 A
IC = 15 A
IB = 5 A
1.3
3.5
V
VBE
Base-Emitter Voltage
IC = 5 A
VCE = 4 V
IC = 15 A
VCE = 4 V
1.3
3.5
V
hFE
DC Current Gain
IC = 5 A
VCE = 4 V
IC = 15 A
VCE = 4 V
20
5
150
hfe
Small Signal Current
Gain
IC = 1 A
VCE = 4 V
f = 1MHz
IC = 1 A
VCE = 4 V
f = 1KHz
5
25
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
For PNP types voltage and current values are negative.
2N6487 / 2N6488 / 2N6490
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6490 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6488 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6491 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6498WD 5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2N6045D1 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6488G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 80V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6489 制造商:n/a 功能描述:2N6489 S3B2F 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N649093 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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