參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6488BD
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/61頁(yè)
文件大?。?/td> 367K
代理商： 2N6488BD
2–11
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 6. Plastic TO–225AA Type (Formerly TO–126 Type) (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min
4
80
BD779 (2)
BD780 (2)
750 min
2
20
15
MJE802 (2)
MJE702 (2)
750 min
1.5
1(1)
40
MJE803 (2)
MJE703 (2)
750 min
2
1(1)
40
2N6039 (2)
2N6036 (2)
750/18k
2
1.7 typ
1.2 typ
2
25
40
100
BD681(2)
BD682(2)
750 min
1.5
40
BD791
BD792
10 min
2
40
15
MJE243
MJE253
40/120
0.2
0.15 typ
0.07 typ
2
40
15
5
25
MJE200
MJE210
45/180
2
0.13 typ
0.035 typ
2
65
15
Table 7. DPAK – Surface Mount Power Packages
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
0.5
300
MJD340
MJD350
30/240
0.05
15
1
250
MJD47
30/150
0.3
2
0.2
0.3
10
15
375
MJD5731
TBD
400
MJD50
30/150
0.3
2
0.2
0.3
10
15
1.5
400
MJD13003
5/25
1
4
0.7
1
4
15
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(12)Case 369–07 may be ordered by adding –1 suffix to part number.
(13)Case 369A–13 may be ordered as tape and reel by adding a “T4” suffix; 2500 units/reel.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 369(12)
1
3
2
1
3
2
4
CASE 369A(13)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6490BC 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6488BS 15 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6490AU 15 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6487AU 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6491BS 15 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6488G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 80V 75W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6489 制造商:n/a 功能描述:2N6489 S3B2F 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N649093 制造商:Harris Corporation 功能描述:
2N6490G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 60V 75W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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