參數(shù)資料
型號： 2N6514
廠商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 7 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： METAL CAN-2
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： 2N6514
相關PDF資料
PDF描述
2N6470 15 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6560 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N5626 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
2N6609G 16 A, 140 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N6660-2 1100 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N6515 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6515/D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:High Voltage Transistors
2N6515_11 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:High Voltage Transistor 625mW
2N6515BU 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6515RLRM 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 250V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*