型號: | 2N6518-18RLEADFREE |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 250 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
封裝: | TO-92-18R, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 5/6頁 |
文件大?。?/td> | 406K |
代理商: | 2N6518-18RLEADFREE |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3417-5F | 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N2923TRG | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N3903-5T1 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N3904-5F | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
2N3905TRC | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6518BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6518TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6518TA_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N6519 | 制造商:n/a 功能描述:2N6519 TO92 N9H1C |
2N6519BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |