參數(shù)資料
型號： 2N6520APM
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 67K
代理商： 2N6520APM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3265 20 A, 90 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-63
2SB0939Q 8 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2SC4719Q 1000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92LS
2SD1292Q 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92L
2SC4619TRN UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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2N6520RL1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
2N6520RLRA 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520RLRAG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6520STOA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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