- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄30461 > 2N652 (SOLID STATE DEVICES INC) 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N652 |
| 廠商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 封裝： | TO-5, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 108K |
| 代理商： | 2N652 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N652A | 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N651A | 500 mA, 45 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N6520APMLEADFREE | 350 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N6426APP | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5830APPLEADFREE | 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6520 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520-AP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo |
| 2N6520BU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6520RL1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N6520RLRA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 350V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。