參數(shù)資料
型號(hào): 2N6654
廠商: MICROSEMI CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 20 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
文件頁(yè)數(shù): 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 187K
代理商: 2N6654
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5575 80 A, 50 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N4347 5 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6654 20 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N6582 10 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
2N5936 30 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6655 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device
2N6658 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3
2N6659 功能描述:MOSFET 35V 1.8 OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6659-2 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CH MOSFET TO-39 35V 1.8 OHM (JANTX SIMILAR) - Bulk
2N6659-E3 功能描述:MOSFET 35V 1.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube