- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄33289 > 2N6659B (VISHAY SILICONIX) 1400 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N6659B |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1400 mA, 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 126K |
| 代理商： | 2N6659B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6659 | 35 V, 1.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-39 |
| 2N6659 | 35 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| 2N4351 | 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72 |
| 2N6660-JQR-B | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 2N6660C4A-JQRS.XRAY | 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N6659-E3 | 功能描述:MOSFET 35V 1.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6660 | 功能描述:MOSFET 60V 3Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N6660 | 制造商:SOLID STATE 功能描述:MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39 |
| 2N6660_07 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
| 2N6660_11 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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