參數(shù)資料
型號： 2N6660C4A-JQRS.CVB
廠商： SEMELAB LTD
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： HERMETIC SEALED PACKAGE-18
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： 2N6660C4A-JQRS.CVB
N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE POWER MOSFET
2N6660C4
Semelab Limited
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
Document Number 8382
Issue 1
Page 3 of 4
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
C4
Underside View
PACKAGE VARIANT TABLE
Variant
Pads
Connection
Pads 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13
Source
Pads 4, 5
Gate
Pads 1, 2, 15, 16, 17, 18
Drain
A
Pads 3, 14
Not Connected
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
15 16
13
12
14
3
4
5
6
7
17
18
1
2
11
10
8
9
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
≈ 2.16 (0.085)
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
0.08 (0.003)
0.43 (0.017)
0.18 (0.007
Rad.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6660C4A-JQRS.GRPB 1000 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N6660CSM4 1 A, 60 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-041BA
2N6660 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39
2N6661.MOD 900 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD
2N6661B-1 4 ohm, Si, POWER, FET, TO-205AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N6660CSM4 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N6660CSM4_0809 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N6660-E3 功能描述:MOSFET 60V 0.99A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N6660-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N CH MOSFET 60V 1.1A TO-205AD
2N6660JANTX 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
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