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參數資料
| 型號： | 2N6661JTXP02 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 860 mA, 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-205AD |
| 封裝： | TO-39 TOLL LID, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | 2N6661JTXP02 |
2N6661, 2N6661-2, 2N6661JANTX, 2N6661JANTXV
www.vishay.com
Vishay Siliconix
S11-1542-Rev. D, 01-Aug-11
3
Document Number: 70225
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TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Ohmic Region Characteristics
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
VDS -)
V
(
e
g
a
t
l
o
V
e
c
r
u
o
S
-
o
t
-
n
i
a
r
D
1.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
VGS = 10 V
I D
-Drain
Current
(A)
VGS -)
V
(
e
g
a
t
l
o
V
e
c
r
u
o
S
-
e
t
a
G
0.5
0.4
0.3
0
1
2
0
0.2
0.1
46
8
125 °C
VDS = 15 V
25 °C
I D
-
Drain
Current
(A)
TJ = - 55 °C
ID - Drain Current (A)
10
8
6
0
5
.
2
5
.
0
4
2
1.0
1.5
2.0
VGS = 10 V
R
DS
(on)
-Drain-Source
On-Resistance
(Ω
)
V
DS - Drain-to-Source Voltage (V)
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
80
60
40
20
0
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
2.0 V
1.8 V
VGS = 3 V
I D
-Drain
Current
(mA)
VGS - Gate-Source Voltage (V)
7
048
12
16
20
6
5
4
0
3
2
1
ID = 0.1 A
0.5 A
1.0 A
R
DS
(o
n)
-On-Resistance
(Ω
)
TJ - Junction Temperature (°C)
2.25
2.00
1.75
0.50
-50
-
0
5
1
0
1
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
VGS = 10 V
R
DS
(o
n)
-Drain-Source
On-Resistance
(Normalized)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6661M1A | 1 A, 90 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| 2N6661 | 90 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-39 |
| 2N6667 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6667 | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 2N6668-6255 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N6661JTXV02 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 90V 0.86A 3-Pin TO-205AD 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 90V 0.9A 3PIN TO-205AD - Bulk |
| 2N6661M1A | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
| 2N6666 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Pwr Darlington RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6667 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N6667_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Silicon Power Transistors PNP SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS 10 A, 60−80 V, 65 W |
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