參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6667AJ
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 34/61頁(yè)
文件大?。?/td> 376K
代理商： 2N6667AJ
2N6667 2N6668
3–150
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
Figure 9. Typical DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.2
0.3
0.5
0.7
1
2
10
500
300
h
FE
,DC
C
URREN
T
GAIN
TJ = 150°C
VCE = 3 V
200
7
20,000
5000
10,000
3000
2000
1000
35
Figure 10. Typical Collector Saturation Region
2.6
IB, BASE CURRENT (mA)
0.3
0.5
1
2
3
5
7
30
2.2
1.8
1.4
1
IC = 2 A
TJ = 25°C
4 A
6 A
0.6
0.7
20
10
TJ = – 55°C
7000
700
TJ = 25°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
VBE(sat) @ IC/IB = 250
V,
V
OL
TAGE
(
V
OL
T
S
)
Figure 11. Typical “On” Voltages
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
VBE @ VCE = 3 V
0.1
0.2 0.3
0.5
0.7
1
2
10
7
35
3
2
1.5
1
0.5
Figure 12. Typical Temperature Coefficients
+3
+2
0
–1
–2
–3
+5
+4
+1
2.5
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7
1
2
10
7
35
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENTS
(mV/
C)°
θ
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
–55
°C to 25°C
25
°C to 150°C
θVB for VBE
–4
–5
θVC for VCE(sat)
hFE @VCE + 3.0 V
3
*IC/IB ≤
105
Figure 13. Typical Collector Cut–Off Region
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
102
101
100
,COLLECT
OR
CURRENT
(
A
)
I C
10–1
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100
°C
25
°C
REVERSE
FORWARD
103
104
+ 0.2
+ 0.4
0
– 0.2
– 0.4 – 0.6 – 0.8
– 1.2 – 1.4
–1
+ 0.6
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PDF描述
2N6667DW 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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2N6667BV 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
2N6667BU 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
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