參數資料
型號: 2N6710
英文描述: TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-237VAR
中文描述: 晶體管|晶體管|進步黨| 80V的五(巴西)總裁| 1A條一(c)|至237VAR
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 45K
代理商: 2N6710
2N6710
TO-237
Plastic Package
TO-237 Plastic Package
DIM
MIN.
MAX.
A
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
J
4.32
4.45
3.18
0.41
0.35
1.14
12.70
5.33
5.20
4.19
0.55
0.50
5.40
1.40
2.54
5 DEG
1.14
1.53
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
PIN CONFIGURATION
321
G
3 2 1
F
B
D
D
SEC AA
A A
3
2
1
H
A
K
E
L
L
J
C
TO-237 Bulk
TO-237 T&A
1K/polybag
2K/ammo box
240 gm/1K pcs
725 gm/2K pcs
3" x 7.5" x 7.5"
12.5" x 8" x 1.8"
5K
2K
17" x 15" x 13.5"
17" x 15" x 13.5"
80K
32K
26.2 kgs
13.8 kgs
PACKAGE
Net Weight/Qty
Details
STANDARD PACK
INNER CARTON BOX
Qty
OUTER CARTON BOX
Qty
Gr Wt
Size
Size
Packing Detail
Continental Device India Limited
Data Sheet
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相關PDF資料
PDF描述
2N6728 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
2N6729 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
2N6730 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
2N6755 N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V
2N6756 N-Channel Power MOSFETs, 14 A, 60 A/100 V
相關代理商/技術參數
參數描述
2N6711 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-237VAR
2N6712 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 250V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-237VAR
2N6713 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-237VAR
2N6714 功能描述:兩極晶體管 - BJT Complimentary Power PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6714 LEDFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT Complimentary Power PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2