參數(shù)資料
型號: 2N6715
廠商: Boca Semiconductor Corp.
英文描述: NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
中文描述: NPN硅外延平面晶體管
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 43K
代理商: 2N6715
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Ta =25oC unless otherwise specified)
Collector Cutoff Current
V
CB
=40V, I
E
=0
2N6714
V
CB
=50V, I
E
=0
2N6715
V
CB
=40V, I
E
=0
2N6716
D.C. Current Gain
I
C
=10mA, V
CE
=1V
2N6714/6715
I
C
=100mA, V
CE
=1V
2N6714/6715
I
C
=1A, V
CE
=1V
2N6714/6715
Description
Symbol
Min.
Max.
Unit
I
CBO
-
-
-
100
100
100
nA
nA
nA
h
FE
55
60
50
-
-
250
I
C
=50mA, V
CE
=1V
I
C
=250mA, V
CE
=1V
I
C
=500mA, V
CE
=1V
Collector-Emitter Saturation Voltage
I
C
=1A, I
B
=100mA
I
C
=250mA, I
B
=25mA
Base Emitter on Voltage
I
C
=1A, V
CE
=1V
2N6716
2N6716
2N6716
80
50
20
-
250
-
2N6714/6715
2N6716
V
CE(sat)
-
-
0.5
0.35
V
V
2N6714/6715
V
BE(on)
-
1.2
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Output Capacitance
V
CB
=10V, I
E
=0,
f=1MHz
Current-Gain-Bandwidth Product
I
C
=50mA, V
CE
=1V
ALL
C
ob
-
20
pF
2N6714/6716
2N6715
f
T
50
50
500
400
MHz
MHz
2N6714
2N6715
2N6716
Boca Semiconductor Corp.
BSC
http://www.bocasemi.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N6716 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
2N6716 Power Transistors
2N6714 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR
2N6714 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
2N6715 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
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2N6715STOB 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6715STZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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