參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6724
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 27K
代理商： 2N6724
NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER
DARLINGTON TRANSISTORS
ISSUE 1 MARCH 94
FEATURES
* 50 Volt VCEO
* Gain of 15k at IC = 0.5 Amp
*Ptot=1 Watt
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
2N6724 2N6725
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
50
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
10
V
Peak Pulse Current
ICM
2A
Continuous Collector Current
IC
1A
Power Dissipation at Tamb= 25°C
Ptot
1W
Operating and Storage Temperature Range
Tj:Tstg
-55 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at Tamb= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
2N6724
2N6725
UNIT CONDITIONS.
MIN.
MAX. MIN.
MAX.
Collector-Base
Breakdown Voltage
V(BR)CBO
50
60
V
IC=1A, IE=0
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
V(BR)CEO
40
50
V
IC=1mA, IB=0*
Emitter-Base
Breakdown Voltage
V(BR)EBO
10
V
IE=10A, IC=0
Collector Cut-Off
Current
ICBO
1.0
A
A
VCB=30V, IE=0
VCB=40V, IE=0
Emitter Cut-Off
Current
IEBO
0.1
A
VEB=8V, IC=0
Collector-Emitter
Saturation Voltage
VCE(sat)
1.0
1.5
1.0
1.5
V
IC=200mA, IB=2mA*
IC=1A, IB=2mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
VBE(sat)
2.0
V
IC=1A, IB=2mA*
Base-Emitter
Turn-On Voltage
VBE(on)
2.0
V
IC=1A, VCE=5V*
Static Forward
Current Transfer
Ratio
hFE
25K
15K
4K
40K
25K
15K
4K
40K
IC=200mA, VCE=5V*
IC=500mA, VCE=5V*
IC=1A, VCE=5V*
Collector Base
Capacitance
CCB
10
pF
VCB=10V, f=1MHz
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300s. Duty cycle ≤2%
E-Line
TO92 Compatible
2N6724
2N6725
3-7
C
B
E
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PDF描述
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參數(shù)描述
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