型號(hào): | 2N697 |
廠商: | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
元件分類: | 小信號(hào)晶體管 |
英文描述: | NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
中文描述: | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
封裝: | TO-5, 3 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 3/3頁(yè) |
文件大小: | 63K |
代理商: | 2N697 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2N697S | NPN MEDIUM POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR |
2N7000-G | N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
2N7000G | Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS |
2N7000RLRAG | Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS |
2N7000RLRMG | Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2N6975 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
2N6976 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
2N6977 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
2N6978 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:5A, 400V and 500V N-Channel IGBTs |
2N697A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Pwr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |