參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000BUJ18Z
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： TO-92, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大小： 45K
代理商： 2N7000BUJ18Z
N-CHANNEL
Small Signal MOSFET
Electrical Characteristics (T
C=25℃ unless otherwise specified)
Drain-Source Breakdown Voltage
Characteristic
Symbol
Max. Units
Typ.
Min.
Test Condition
Static Drain-Source
On-State Resistance
②
Forward Transconductance
②
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
g
fs
C
iss
C
oss
C
rss
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
BV
DSS
R
DS(on)
I
GSS
I
DSS
V
nA
μA
pF
ns
--
0.1
--
V
GS=0V,ID=250μA
V
DS= VGS,ID=250μA
V
DS= VGS,ID=1mA
V
GS=15V
V
GS=-15V
V
DS=60V
V
DS=45V,TC=125℃
V
GS=10V,ID=0.5A
V
DS=15V,ID=0.5A
V
DD=30V,ID=0.5A,
R
G=15
②③
Drain-to-Source Leakage Current
V
GS=0V,VDS=25V,
f =1MHz
2N7000BU/2N7000TA
60
0.3
0.4
--
12
3.0
--
3.9
2.2
100
-100
250
1000
5.0
--
10
0.3
30
Notes ;
① Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Maximum Junction Temperature
② Pulse Test : Pulse Width = 250μs, Duty Cycle ≤ 2%
③ Essentially Independent of Operating Temperature
S
V
GS(th)
Gate-Source Leakage , Forward
Gate-Source Leakage , Reverse
Gate Threshold Voltage
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000TAJ05Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000BUD74Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000BUD27Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
2N7000TAJ18Z 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7000ZL1 200 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
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參數(shù)描述
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2N7000-D26Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2N7000-D75Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:200mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 基本零件編號(hào):2N7000 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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