參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7000P
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管垂直的DMOS
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： 2N7000P
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7000TA Advanced Small Signal MOSFET
2N7000 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開(kāi)態(tài)漏極電流75mA，N溝道增強(qiáng)型垂直DMOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7002-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7002BKM 60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
2N7002BKS 60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7000RLRA 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRAG 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRM 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRMG 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7000RLRP 功能描述:MOSFET 60V 200mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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