- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄30468 > 2N7002-T1 (VISHAY SILICONIX) 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2N7002-T1 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 146K |
| 代理商： | 2N7002-T1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002-TP | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-QR-BG4 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-JQR-BG4 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002CSM-JQR-AG4 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002E-13 | 240 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7002-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 0.115A 0.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-236 |
| 2N7002-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| 2N7002-T1-ER | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SOT23 NCH MOSFET 60V 7.5R |
| 2N7002-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 115mA 0.2W 7.5ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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