參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： 2N7002
2009. 11. 17
2/4
2N7002
Revision No : 4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Gate Threshold Voltage
Vth
VDS=VGS, ID=250 A
1.1
1.8
2.3
V
Drain-Source ON Resistance
RDS(ON)
VGS=10V, ID=500mA
-
1.2
1.8
VGS=5V, ID=50mA
-
1.5
2.1
Drain-Source ON Voltage
VDS(ON)
VGS=10V, ID=500mA
-
0.6
0.9
V
VGS=5V, ID=50mA
-
0.075
0.105
On State Drain Current
ID(ON)
VGS=10V, VDS= 2 VDS(ON)
500
-
mA
Forward Transconductance
gFS
VDS=10V, ID=500mA
200
580
-
mS
Drain-Source Diode Forward Voltage
VSD
VGS=0V, IS=200mA (Note1)
-
0.78
1.15
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
Ciss
VDS=25V, VGS=0V, f=1MHz
-
47.1
-
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
3.5
-
Output Capacitance
Coss
-
8.8
-
Switching Time
Turn-On Time
ton
VDD=30V, RL=155 , ID=190mA,
VGS=10V
-
8.8
-
nS
Turn-Off Time
toff
-
14.8
-
OUT
OUTPUT, V
10%
90%
50%
f
t
r
t
IN
INPUT, V
INVERTED
PULSE WIDTH
d(on)
t
d(off)
t
on
t
off
t
SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
GS
V
VDD
R L
VOUT
DUT
D
G
S
IN
V
(Note 3) Pulse Test : Pulse Width 80 , Duty Cycle 1%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7008P003 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
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2N703 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N703 50 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
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2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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