參數(shù)資料
型號: 2N7002G-AL3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 246K
代理商: 2N7002G-AL3-R
2N7002
Power MOSFET
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
5 of 6
www.unisonic.com.tw
QW-R206-037,H
TYPICAL CHARACTERICS (Cont.)
100
75
0
-25
1.1
1.05
1
-50
0.925
11.2
0.8
0.4
1
0.5
0.1
0.05
0.01
0.2
0.005
25
50
150
125
0.95
1.025
1.075
1.4
0.001
0.975
0.6
2
No
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V
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Junction Temperature, TJ (°C)
Breakdown Voltage Varisation
with Temperature
ID = 250μA
Body Diode Forward Voltage, VSD (V)
Body Diode Forward Voltage Varisation
with Temperature
Reverse
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N7002H6327 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
2N7002H6327XT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KAN 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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2N7002H-7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.17A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):170mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.35nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):26pF @ 25V 功率 - 最大值:370mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1