參數(shù)資料
型號(hào): 2N7002TA
廠商: Diodes Inc
文件頁(yè)數(shù): 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
其它圖紙: SOT-23
SOT-23 Top
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 115mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 7.5 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 25V
功率 - 最大: 330mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: 2N7002DKR