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參數(shù)資料
| 型號： | 2N7002TT2T2 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2N7002TT2T2 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N7002TT1-2T1 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002TT1T1 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236 |
| 2N7002TT2-1T1 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002TT1-2T2 | 115 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 2N7002 | 230 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N7002T-TP | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R |
| 2N7002V | 功能描述:MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 2N7002V_1 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 2N7002V_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 2N7002V-7 | 功能描述:MOSFET 60V 150mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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