參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7052
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN Darlington Transistor
中文描述： 1500 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2N7052
2
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector-Cutoff Current
I
CES
Collector-Cutoff Current
I
EBO
Emitter-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 1.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 1.0 mA, I
C
= 0
V
CB
= 80 V, I
E
= 0
V
CE
= 80 V, I
E
= 0
V
EB
= 7.0 V, I
C
= 0
100
100
12
V
V
V
μ
A
μ
A
μ
A
0.1
0.2
0.1
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 1.0 A, V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100 mA, I
B
= 0.1 mA
I
C
= 100 mA, V
BE
= 5.0 V
10,000
1,000
20,000
1.5
2.0
V
CE(
sat
)
V
BE(
on
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
V
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
F
T
Transition Frequency
C
cb
Collector-Base Capacitance
*
Pulse Test: Pulse Width
￡
300
m
s, Duty Cycle
￡
1.0%
I
C
= 100 mA, V
CE
= 5.0 V,
V
CB
= 10 V,f = 1.0 MHz
2N7052
200
MHz
pF
2N7053
10
8.0
NPN Darlington Transistor
(continued)
Typical Characteristics
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.001
0.01
0.1
1
0
20
40
60
80
100
I - COLLECTOR CURRENT (A)
h
F
125 °C
25 °C
- 40°C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
P 06
10
100
1000
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
C
β
= 1000
125 °C
25 °C
- 40°C
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PDF描述
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