參數(shù)資料
型號(hào)： 2N720
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE
中文描述： 高壓一般用途
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： 2N720
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
I
CBO
Parameter
Test Conditions
V
CB
= 90 V
Min.
Typ.
Max.
10
Unit
nA
Collector Cutoff Current
(I
E
= 0)
Collector–base Breakdown
Voltage
(I
E
= 0)
Collector–emitter Breakdown
Voltage
(I
B
= 0)
Emitter–base Breakdown
Voltage
(I
E
= 0)
Emitter Cuttoff Current
(I
E
= 0)
Collector–emitter Saturation
Voltage
Base–emitter Saturation
Voltage
DC Current Gain
V
(BR)CBO
I
C
= 100
μ
A
120
V
V
(BR)CEO
*
I
C
= 30 mA
80
V
V
(BR)EBO
I
E
= 100
μ
A
7
V
I
EBO
V
EB
= 5 V
10
nA
V
CE(sat)
*
I
C
= 50 mA
I
C
= 150 mA
I
C
= 50 mA
I
C
= 150 mA
I
C
= 100
μ
A
I
C
= 10 mA
I
C
= 150 mA
I
C
= 50 mA
f = 20 MHz
I
E
= 0
f = 1 MHz
I
C
= 0
f = 1 MHz
I
B
= 5 mA
I
B
= 15 mA
I
B
= 5 mA
I
B
= 15 mA
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
1.2
5
0.9
1.3
V
V
V
V
–
–
–
–
V
BE(sat)
*
h
FE
*
20
35
40
2.5
120
h
fe
High Frequency Current
Gain
Collector–base Capacitance
C
CBO
V
CB
= 10 V
15
pF
C
EBO
Emitter–base Capacitance
V
EB
= 0.5 V
85
pF
* Pulsed : pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1 %.
THERMAL DATA
R
th j-case
R
th j-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
97.2
350
°
C/W
°
C/W
2N720A
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N720A HIGH VOLTAGE GENERAL PURPOSE
2N7219 200V, 18A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(200V, 18A,N溝道，增強(qiáng)模式功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7221 400V, 10A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(400V, 10A,N溝道，增強(qiáng)模式功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7218 100V, 28A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(100V, 28A,N溝道，增強(qiáng)模式功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
2N7222 500V, 8A, N-Channel, Enhancement Mode Power MOSFET(500V, 8A,N溝道，增強(qiáng)模式功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N720A 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N720A_02 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN
2N720AJAN 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 3-Pin TO-18
2N720AS 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor
2N721 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors
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