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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N7288D |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | Radiation Hardened N-Channel Power MOSFETs |
| 中文描述： | 9 A, 250 V, 0.415 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-257AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | 2N7288D |
5
2N7288D, 2N7288R, 2N7288H - Registration Pending
Packaging
NOTES:
1. These dimensions are within allowable dimensions of Rev. B of
JEDEC TO-257AA dated 9-88.
2. Add typically 0.002 inches (0.05mm) for solder coating.
3. Lead dimension (without solder).
4. Position of lead to be measured 0.150 inches (3.81mm) from bottom
of dimension D.
5. Die to base BeO isolated, terminals to case ceramic isolated.
6. Controlling dimension: Inch.
7. Revision 1 dated 1-93.
Q
D
L
H
1
b
e
e
1
A
1
E
A
J
1
0.065 R TYP.
P
L
1
b
1
1
2
3
TO-257AA
3 LEAD JEDEC TO-257AA HERMETIC METAL PACKAGE
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.190
0.200
4.83
5.08
-
A
1
b
0.035
0.045
0.89
1.14
-
0.025
0.035
0.64
0.88
2, 3
b
1
D
0.060
0.090
1.53
2.28
-
0.645
0.665
16.39
16.89
-
E
0.410
0.420
10.42
10.66
-
e
0.100 TYP
2.54 TYP
4
e
1
H
1
J
1
L
0.200 BSC
5.08 BSC
4
0.230
0.250
5.85
6.35
-
0.110
0.130
2.80
3.30
4
0.600
0.650
15.24
16.51
-
L
1
P
-
0.035
-
0.88
-
0.140
0.150
3.56
3.81
-
Q
0.113
0.133
2.88
3.37
-
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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