型號: | 2PB1219AR |
廠商: | NXP Semiconductors N.V. |
元件分類: | 雙極晶體管 |
英文描述: | PNP general purpose transistor |
中文描述: | PNP通用型晶體管 |
封裝: | 2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;2PB1219AQ<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 20 |
文件頁數: | 1/6頁 |
文件大小: | 197K |
代理商: | 2PB1219AR |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2PB709ARL | 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors |
2PB709ASL | 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors |
2PB709ART | 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor |
2PB709ASW | PNP general purpose transistors |
2PB709BRL | 50 V, 200 mA PNP general-purpose transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2PB1219AR /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB1219AR T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB1219AR,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB1219AR,135 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2PB1219AS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistor |