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參數(shù)資料
| 型號： | 2PB709AR,115 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 封裝： | PLASTIC, SMT3, SMD, SC-59, MPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | 2PB709AR,115 |
1999 Apr 23
3
Philips Semiconductors
Product specication
PNP general purpose transistor
2PB709A
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Note
1. Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
Rth j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
ICBO
collector cut-off current
IE = 0; VCB = 45 V
10
nA
IE = 0; VCB = 45 V; Tj = 150 °C
5
A
IEBO
emitter cut-off current
IC = 0; VEB = 5V
10
nA
hFE
DC current gain
IC = 2 mA; VCE = 10 V
2PB709AQ
160
260
2PB709AR
210
340
2PB709AS
290
460
VCEsat
collector-emitter saturation
voltage
IC = 100 mA; IB = 10 mA; note 1
500
mV
Cc
collector capacitance
IE =ie = 0; VCB = 10 V; f = 1 MHz
5pF
fT
transition frequency
IC = 1 mA; VCE = 10 V; f = 100 MHz
2PB709AQ
60
MHz
2PB709AR
70
MHz
2PB709AS
80
MHz
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