參數(shù)資料
型號： 2PB709ART
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 雙極晶體管
英文描述： 45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor
封裝： 2PB709ART<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;2PB709ART<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always P
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代理商： 2PB709ART
2PB709ART_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 19 March 2007
3 of 10
NXP Semiconductors
2PB709ART
45 V, 100 mA PNP general-purpose transistor
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
FR4 PCB, standard footprint
Fig 1.
Power derating curve
T
amb
(
°
C)
75
175
125
25
75
25
006aaa990
100
200
300
P
tot
(mW)
0
Table 6.
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
thermal resistance from
junction to solder point
Conditions
in free air
Min
Typ
-
Max
500
Unit
K/W
[1]
-
R
th(j-sp)
-
-
140
K/W
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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2PB709ART T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ART,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ART,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PB709ART.215 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general-purpose transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
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