參數(shù)資料
型號(hào)： 2PC4617RJ,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 44K
代理商： 2PC4617RJ,115
2001 Aug 03
6
Philips Semiconductors
Product specication
NPN general purpose transistor
2PC4617J
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1011E 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA1011 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC2344 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SA1011D 1.5 A, 160 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
2SC2344D 1.5 A, 160 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2PC4617RM T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PC4617RM,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PC4617RMB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN50V 0.1A SOT88 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN,50V 0.1A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN,50V 0.1A, SOT883B; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:180; Operating Temperature Min:-55C; Operating ;RoHS Compliant: Yes
2PC4617RMB,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT 51 V mA NPN General Purpose Tran RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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