參數(shù)資料
型號(hào): 2PD601AQ,115
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數(shù): 3/3頁
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代理商: 2PD601AQ,115
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD601AT/R 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2PD602ARL/DG SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
2PD602AQL/DG SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
2PG001 30 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
2PG003 40 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PD601AQW 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA
2PD601AQW,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601AR 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:NPN General Purpose Transistor
2PD601AR T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601AR,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2