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參數(shù)資料
| 型號： | 2PD601ART |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 雙極晶體管 |
| 英文描述： | 50 V, 100 mA NPN general-purpose transistor |
| 封裝： | 2PD601ART<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always Pb-free,;2PD601ART<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<Always P |
| 文件頁數(shù)： | 5/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | 2PD601ART |
2PD601ART_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 March 2007
5 of 10
NXP Semiconductors
2PD601ART
50 V, 100 mA NPN general-purpose transistor
V
CE
= 10 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 3.
DC current gain as a function of collector
current; typical values
T
amb
= 25
°
C
Fig 4.
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 5.
Base-emitter saturation voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 6.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
I
C
(mA)
10
1
10
2
10
1
006aaa992
200
300
100
400
500
h
FE
0
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0
10
8
4
6
2
006aaa993
0.04
0.06
0.02
0.08
0.1
I
C
(A)
0
I
B
(mA) = 0.56
0.50
0.44
0.38
0.32
0.26
0.20
0.14
0.08
0.02
006aaa994
0.5
0.9
1.3
V
BEsat
(V)
0.1
I
C
(mA)
10
1
10
2
10
1
(1)
(2)
(3)
006aaa995
I
C
(mA)
10
1
10
2
10
1
10
1
1
V
CEsat
(V)
10
2
(1)
(2)
(3)
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參數(shù)描述 |
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| 2PD601ART T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601ART,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601ART,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601ART/PA,215 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:- Tape and Reel |
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