參數(shù)資料
型號： 2PD601AS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Paper Capacitor; Voltage Rating:1500VDC; Capacitor Dielectric Material:Paper; Capacitance:15uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:20.64mm; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:D; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
中文描述： 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC, SC-59A, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 42K
代理商： 2PD601AS
1999 Apr 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN general purpose transistor
2PD601A
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
I
CBO
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
E
= 0; V
CB
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 100 mA; V
CE
= 2 V; note 1
I
C
= 2 mA; V
CE
= 10 V; note 1
90
10
5
10
nA
μ
A
nA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
DC current gain
2PD601AQ
2PD601AR
2PD601AS
collector-emitter saturation voltage
collector capacitance
transition frequency
2PD601AQ
2PD601AR
2PD601AS
160
210
290
260
340
460
500
3.5
V
CEsat
C
c
f
T
I
C
= 100 mA; I
B
= 10 mA; note 1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 2 mA; V
CE
= 10 V;
f = 100 MHz
mV
pF
100
120
140
MHz
MHz
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD601 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR
2PD602 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR
2PD602A NPN general purpose transistor(NPN通用型晶體管)
2PD602AQ NPN general purpose transistor
2PD602AR Paper Capacitor; Voltage Rating:1500VDC; Capacitor Dielectric Material:Paper; Capacitance:3uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:20.64mm; Leaded Process Compatible:No; Package/Case:A; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
2PD601AS T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601AS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
2PD601ASL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 100MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD601ASL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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