參數(shù)資料
型號(hào)： 2PD602AQL
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
中文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2PD602AQL
2PD602AXL_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 October 2008
3 of 9
NXP Semiconductors
2PD602AxL
50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
[1]
* = -: made in Hong Kong
* = p: made in Hong Kong
* = t: made in Malaysia
* = W: made in China
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
2PD602AQL/DG
2PD602ARL/DG
2PD602ASL/DG
SX*
SW*
SV*
Table 5.
Type number
Marking codes
…continued
Marking code
[1]
Table 6.
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
V
CBO
collector-base voltage
V
CEO
collector-emitter voltage
V
EBO
emitter-base voltage
I
C
collector current
I
CM
peak collector current
Limiting values
Conditions
open emitter
open base
open collector
Min
-
-
-
-
-
Max
60
50
5
500
1
Unit
V
V
V
mA
A
single pulse;
t
p
≤
1 ms
single pulse;
t
p
≤
1 ms
T
amb
≤
25
°
C
I
BM
peak base current
-
200
mA
P
tot
T
j
T
amb
T
stg
total power dissipation
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
[1]
-
250
150
+150
+150
mW
°
C
°
C
°
C
-
55
65
Table 7.
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction
to ambient
Conditions
in free air
Min
Typ
-
Max
500
Unit
K/W
[1]
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD602ARL 50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2S304A Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO5 Metal Package.
2SA1979M PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
2SA1979S PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
2SA1979U PNP Silicon Transistor (Medium power amplifier)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PD602AQL T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602AQL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 500MA NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602AQL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602AQL/DG 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2PD602AQL215 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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