參數(shù)資料
型號： 2PD602ARL/DG
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 57K
代理商： 2PD602ARL/DG
2PD602AXL_1
NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 27 October 2008
5 of 9
NXP Semiconductors
2PD602AxL
50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
9.
Package outline
10. Packing information
[1]
For further information and the availability of packing methods, see Section 14.
[2]
/DG: halogen-free
Fig 1.
Package outline SOT23 (TO-236AB)
04-11-04
Dimensions in mm
0.45
0.15
1.9
1.1
0.9
3.0
2.8
2.5
2.1
1.4
1.2
0.48
0.38
0.15
0.09
12
3
Table 9.
Packing methods
The indicated -xxx are the last three digits of the 12NC ordering code.[1]
Type number[2]
Package
Description
Packing quantity
3000
10000
2PD602AQL
SOT23
4 mm pitch, 8 mm tape and reel
-215
-235
2PD602ARL
2PD602ASL
2PD602AQL/DG
SOT23
4 mm pitch, 8 mm tape and reel
-215
-235
2PD602ARL/DG
2PD602ASL/DG
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2PD602AQL/DG SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
2PG001 30 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
2PG003 40 A, 430 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
2S033R1 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2S103G4 50 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-206AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2PD602AS 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistor
2PD602AS,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602ASL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
2PD602ASL,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2PD602ASL,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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