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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA102 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Ge PNP Drift |
| 中文描述： | 葛新進(jìn)步黨漂移 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2SA102 |
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PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA1020 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1W High Current PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SA1020_05 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SA1020_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Amplifier Applications Power Switching Applications |
| 2SA1020_10 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:PNP Plastic Encapsulated Transistor |
| 2SA1020_11 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON PNP EPITAXIAL TRANSISTOR |
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