型號: | 2SA1034S |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 35V的五(巴西)總裁| 50mA的一(c)|至236AB |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 61K |
代理商: | 2SA1034S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA1034T | 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset |
2SA1035R | TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA1034T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 35V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
2SA1035 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type |
2SA10350SL | 功能描述:TRANS PNP 55VCEO 50MA MINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SA1035R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |
2SA1035S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 55V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-236AB |