參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1084
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： TO-92(1), 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： 2SA1084
2SA1083, 2SA1084, 2SA1085
3
Electrical Characteristics (Ta = 25
°C)
2SA1083
2SA1084
2SA1085
Item
Symbol Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base
breakdown voltage
V
(BR)CBO
–60
—
–90
—
–120 —
—
V
I
C = –10 A, IE = 0
Collector to emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
–60
—
–90
—
–120 —
—
V
I
C = –1 mA,
R
BE = ∞
Emitter to base
breakdown voltage
V
(BR)EBO
–5
—
–5
—
–5
—
V
I
E = –10 A, IC = 0
Collector cutoff current
I
CBO
—
–0.1
—
–0.1
—
–0.1
AV
CB = –50 V, IE = 0
Emitter cutoff current
I
EBO
—
–0.1
—
–0.1
—
–0.1
AV
EB = –2 V, IC = 0
DC current transfer ratio h
FE*
1
250
—
800
250
—
800
250
—
800
V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Collector to emitter
saturation voltage
V
CE(sat)
—
–0.2
—
–0.2
—
–0.2
V
I
C = –10 mA,
I
B = –1 mA
Base to emitter voltage
V
BE
—
–0.6
—
–0.6 —
—
–0.6 —
V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Gain bandwidth product f
T
—90
—
—90
—
—90
—
MHz V
CE = –12 V,
I
C = –2 mA
Collector output
capacitance
Cob
—
3.5
—
3.5
—
3.5
—
pF
V
CB = –10 V, IE = 0,
f = 1 MHz
Noise voltage reffered
to input
e
n
—
0.5
—
0.5
—
0.5
—
nV/
√Hz
V
CE = –6V,
I
C = –10 mA,
f = 1 kHz,
R
g = 0, f = 1Hz
Note:
1. The 2SA1083, 2SA1084 and 2SA1085 are grouped by h
FE as follows.
DE
250 to 500
400 to 800
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1085ERR 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1084DRF 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1084ERF 100 mA, 90 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1085DRF 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1083DRF 100 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1084D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1084E 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92
2SA1084ETZ 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1084ETZ-E 功能描述:TRANSISTOR PNP 90V 100MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1085 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon PNP Epitaxial
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