參數(shù)資料
型號： 2SA1309A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planer type
中文描述： 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： S TYPE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 35K
代理商： 2SA1309A
1
Transistor
2SA1309A
Silicon PNP epitaxial planer type
For low-frequency amplification
Complementary to 2SC3311A
I
Features
G
High foward current transfer ratio h
FE
.
G
Allowing supply with the radial taping.
G
Optimum for high-density mounting.
I
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25C)
Unit: mm
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Peak collector current
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
1:Emitter
2:Collector
3:Base
EIAJ:SC–72
New S Type Package
4.0
±
0.2
marking
2.54
±
0.15
1.27
1.27
3
±
0
1
±
0
2
±
0
0
±
0
0
1
2
3
+
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
stg
Ratings
–60
–50
–7
–200
–100
300
150
–55 ~ +150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
I
Electrical Characteristics
(Ta=25C)
Parameter
Collector cutoff current
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Forward current transfer ratio
Collector to emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
CEO
V
CBO
V
CEO
V
EBO
h
FE*
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Conditions
V
CB
= –10V, I
E
= 0
V
CE
= –10V, I
B
= 0
I
C
= –10
μ
A, I
E
= 0
I
C
= –2mA, I
B
= 0
I
E
= –10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= –10V, I
C
= –2mA
I
C
= –50mA, I
B
= –5mA
V
CB
= –10V, I
E
= 1mA, f = 200MHz
V
CB
= –10V, I
E
= 0, f = 1MHz
min
–60
–50
–7
160
typ
80
3.5
max
–100
–1
460
– 0.3
Unit
nA
μ
A
V
V
V
V
MHz
pF
*
h
FE
Rank classification
Rank
Q
R
S
h
FE
160 ~ 260
210 ~ 340
290 ~ 460
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1310 Silicon PNP epitaxial planer type
2SA1312 TRANSISTOR (AUDIO FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SA1313 TRANSISITOR (AUDIO FREQUENCY LOW POWER AMPLIFIER, DRIVER STAGE AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
2SA1314 TRANSISTOR (STROBE FLASH, AUDIO POWER APPLICATIONS)
2SA1315 TRANSISTOR (POWER AMPLIFIER, SWITCHING APPLICATIONS)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1309A MATS 制造商:Distributed By MCM 功能描述:-50V -.1A .3W Ecb 2Sa1309A Matsushita Trans. TO-92Var
2SA1309A0A 功能描述:TRANS PNP AF AMP 50V 100MA NEW S RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1309AIRTA 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1309AQA 功能描述:TRANS PNP LF 50VCEO NEW S TYPE RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1309AR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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