參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1312-BL
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
封裝： 2-3F1A, S-MINI, SC-59, TO-236MOD, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/5頁(yè)
文件大小： 150K
代理商： 2SA1312-BL
Data Sheet PU10005EJ01V0DS
5
2SC5741
VCE = 1 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
10
2
4
6
8
0
10
1
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
Gain
Bandwidth
Product
f
T
(GHz)
Collector Current IC (mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
10
8
6
4
2
0
10
1
100
VCE = 1 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
35
25
30
15
20
5
10
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 1 V
IC = 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
35
25
30
15
20
5
10
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
IC = 15 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
35
25
30
15
20
5
10
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S21e|
2
VCE = 2 V
IC = 5 mA
Frequency f (GHz)
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
Insertion
Power
Gain
|S
21e
|2
(dB)
Maximum
Available
Power
Gain
MAG
(dB)
Maximum
Stable
Power
Gain
MSG
(dB)
35
25
30
15
20
5
10
0
0.1
1
10
MAG
MSG
|S21e|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1312 100 mA, 120 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1313-Y 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1313 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236
2SA1315 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
2SA1315-O 2000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
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2SA1312-BL(TE85L,F 制造商:Toshiba 功能描述:PNP
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2SA1312GRTE85LF 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Audio Amp VCEO -120V HFE 700 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SA1313-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS PNP 50V 500MA TO236-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:200MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:S-Mini 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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