型號(hào): | 2SA1381D-LS |
廠商: | SANYO SEMICONDUCTOR CO LTD |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 0.1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 69K |
代理商: | 2SA1381D-LS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SC3504D-AE | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
2SA1380D-RA | 0.1 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SC3416D-LS | 0.1 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SC3503F-LT | 0.1 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SA1370C-AJ | 100 mA, 200 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA1381DSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1381ESTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1381FSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1382 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92MOD -50V -2A .9W ECB |
2SA1382(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |