型號: | 2SA1381F |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-126 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|進步黨| 300V五(巴西)總裁| 100mA的一(c)|至126 |
文件頁數(shù): | 2/3頁 |
文件大?。?/td> | 456K |
代理商: | 2SA1381F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA1381FSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 300V 0.1A 7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SA1382 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTORTO-92MOD -50V -2A .9W ECB |
2SA1382(F) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk |
2SA1382,T6MIBF(J | 功能描述:TRANS PNP 2A 50V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 33mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):150 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:110MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 |
2SA1384-O(TE12L,CF | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP |