型號(hào): | 2SA1407C |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 0.15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
封裝: | TO-126, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 212K |
代理商: | 2SA1407C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SA1407E | 0.15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SA1407F | 0.15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SC3601E | 0.15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SC3601F | 0.15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
2SA1412-ZL | 2000 mA, 400 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SA1407E | 功能描述:TRANS PNP 200V 150MA TO126-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
2SA1408-O(Q) | 制造商:Toshiba 功能描述:PNP Bulk 制造商:Toshiba 功能描述:Trans GP BJT PNP 150V 1.5A 3-Pin TO-126IS |
2SA1409 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR TO-92-25V -.15A .25W ECB |
2SA1411 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY NEC TRANSISTOR SC-59-25V -.15A .2W SURFACE MOUNT |
2SA1412-AZ | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:PNP PWR Transistor,400V,2.0A,TO-252 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT 400V 2KA 3-Pin(3+Tab) SC-64 |